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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2011

01.05.2011

Valence Band Studies of p- and n-Type Ba8Ga16Ge30 Using High-Resolution Photoelectron Spectroscopy

verfasst von: J. Tang, J. T. Xu, S. Heguri, K. Akai, K. Tanigaki

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2011

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Metadaten
Titel
Valence Band Studies of p- and n-Type Ba8Ga16Ge30 Using High-Resolution Photoelectron Spectroscopy
verfasst von
J. Tang
J. T. Xu
S. Heguri
K. Akai
K. Tanigaki
Publikationsdatum
01.05.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-011-1567-3

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