Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Introduction Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

3. Vertical Bridgman Growth Method

verfasst von : Keigo Hoshikawa

Erschienen in: Gallium Oxide

Verlag: Springer International Publishing

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

The vertical Bridgman (VB) technique developed for β-Ga2O3 crystals will be introduced including specific details on the VB crucible material determined by the measurement of the melting temperature of β-Ga2O3 and the VB growth processes of β-Ga2O3 in ambient air. The characteristic features of the crystallinity and the tentative electric characteristics of β-Ga2O3 crystals grown by the VB technique will also be introduced.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Czochralski Method
Nächstes Kapitel Floating Zone Method, Edge-Defined Film-Fed Growth Method, and Wafer Manufacturing
Literatur
1.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012)CrossRef
2.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Phys. Status Solidi A, (1), 21 (2014)
3.
T. Oishi, Y. Koga, K. Harada, M. Kasu, Appl. Phys. Express 8, 031101 (2015)CrossRef
4.
M. Baldini, Z. Galazka, G. Wagner, Mater. Sci. Semicond. Process. 78, 132 (2018)CrossRef
5.
6.
M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A1 (2016)
7.
T. Hibiya, K. Hoshikawa, in Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectonic Materials, ed. P. Capper (Wiley, 2005), pp. 1–42
8.
J. Friedrich, W. Ammon, G. Muller, in Bulk Crystal Growth: Basic Techniques, ed. by P. Rudolph (Elsevier, 2015), pp. 45–104
9.
A. Muizunieks, J. Virbulis, A. Ludge, H. Riemann, N. Werner, in Bulk Crystal Growth: Basic Techniques, ed. by P. Rudolph (Elsevier, 2015), pp. 241–279
10.
T.S. Sudarshan, D. Cherednichenko, R. Yakimova, in Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectonic Materials, ed. by P. Capper (Wiley, 2005), pp. 433–449
11.
12.
H. Daikoku, M. Kado, H. Sakamoto, H. Suzuki, T. Bessho, K. Kusunoki, N. Yashiro, N. Okada, K. Moriguchi, K. Kamei, Mater. Sci. Forum 717–720, 61 (2012)CrossRef
13.
K. Kusunoki, N. Okada, K. Kamei, K. Moriguchi, H. Daikoku, M. Kado, H. Sakamoto, T. Bessho, T. Ujihara, J. Cryst. Growth 395, 68 (2014)CrossRef
14.
K. Hoshikwa, E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, C. Miyagawa, Y. Nakamura, J. Cryst. Growth 447, 36 (2016)CrossRef
15.
E. Ohba, T. Kobayashi, M. Kado, K. Hoshikwa, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202BF (2016)
16.
N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70(26), 3561 (1997)CrossRef
17.
E.G. Víllora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, K. Aoki, N. Ichinose, J. Cryst. Growth 270, 420 (2004)CrossRef
18.
E.G. Víllora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92, 202120 (2008)CrossRef
19.
Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, T. Fukuda, J. Cryst. Growth 220, 510 (2000)CrossRef
20.
Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, M. Albrecht, D. Klimm, M. Pietsch, M. Brützam, R. Bertram, S. Ganschow, R. Fornari, Cryst. Res. Technol. 45(12), 1229 (2010)CrossRef
21.
Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann, J. Cryst. Growth 404, 184 (2014)CrossRef
22.
H. Aida, K. Nishiguchi, H. Takeda, N. Aota, K. Sunakawa, Y. Yaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 8506 (2008)CrossRef
23.
E.G. Víllora, S. Arjoca, K. Shimamura, D. Inomata, K. Aoki, Proc. SPIE, 89871U (2014)
24.
D. Klimm, S. Ganschow, D. Bertram, R. Uecker, P. Reiche, R. Fornari, J. Cryst. Growth 311, 534 (2009)CrossRef
25.
Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, M. Bickermann, ECS J. Solid State Sci. Technol. 6(2), Q3007 (2017)CrossRef
26.
A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A2 (2016)
27.
K. Nakai, T. Nagai, K. Noami, T. Futagi, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 051103 (2015)CrossRef
28.
K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, M. Kasu, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 030303 (2016)CrossRef
29.
A.V. Zhdanov, G.A. Satunkin, V.A. Tatarchenko, N.N. Talyanskaya, J. Cryst. Growth 49, 659 (1980)CrossRef
30.
31.
32.
V.A. Tatarchenko, T.N. Yalovets, G.A. Satunkin, L.M. Zatulovsky, L.P. Egorov, D.Y. Kravetsky, J. Cryst. Growth 50, 335 (1980)CrossRef
33.
K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, E.G. Víllora, K. Shimamura, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Express 5, 035502 (2012)CrossRef
34.
35.
36.
J. Åhman, G. Svensson, J. Albertsson, Acta Crystallogy. Sect. C C52, 1336 (1996)
37.
T. Onuma, S. Fujioka, Y. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda, Appl. Phys. Lett. 103, 041910 (2013)CrossRef
Metadaten
Titel
Vertical Bridgman Growth Method
verfasst von
Keigo Hoshikawa
Copyright-Jahr
2020
Buch
Gallium Oxide

Print ISBN: 978-3-030-37152-4

Electronic ISBN: 978-3-030-37153-1

Copyright-Jahr: 2020

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-37153-1_3

Neuer Inhalt

    Bildnachweise