Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Perspectives on Electronic and Optoelectronic Materials Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

16. Wide-Bandgap II–VI Semiconductors: Growth and Properties

verfasst von : Jifeng Wang, Ph.D., Minoru Isshiki, Prof.

Erschienen in: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Verlag: Springer US

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Wide-bandgap II–VI compounds are been applied to optoelectronic devices, especially light-emitting devices in the short-wavelength region of visible light, because of their direct gap and suitable bandgap energies. Many methods have been extensively applied to grow high-quality films and bulk single crystals from the vapor and liquid phases.
This chapter firstly discusses the basic properties and phase diagrams of wide-bandgap II–VI compounds such as ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, CdSe and CdTe. Then the growth methods and recent progress in films and bulk crystal growth are reviewed. In the epitaxial growth methods, the focus is on liquid-phase epitaxy (LPE), vapor-phase epitaxy (VPE) containing conventional VPE, hot-wall epitaxy (HWE), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or metalorganic phase epitaxy (MOVPE), molecular-beam epitaxy (MBE) and atomic-layer epitaxy (ALE). In bulk crystal growth, two typical growth methods, chemical/physical vapor transport (CVT/PVT) and Bridgman techniques, are introduced.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Narrow-Bandgap II–VI Semiconductors: Growth
Nächstes Kapitel Structural Characterization
Literatur
16.1.
A. Lopez-Otero: Thin Solid Films 49, 1 (1978)
16.2.
H. M. Manasevit, W. I. Simpson: J. Electrochem. Soc. 118, 644 (1971)
16.3.
L. L. Chang, R. Ludeke: Epitaxial Growth, Part A, ed. by J. W. Matthews (Academic, New York 1975) p. 37
16.4.
E. Veuhoff, W. Pletschen, P. Balk, H. Luth: J. Cryst. Growth 55, 30 (1981)
16.5.
T. Suntola: Mater. Sci. Rep. 4, 261 (1989)
16.6.
M. M. Faktor, R. Heckingbottom, I. Garrett: J. Cryst. Growth 9, 3 (1971)
16.7.
I. Kikuma, M. Furukoshi: J. Cryst. Growth 41, 103 (1977)
16.8.
Y. V. Korostelin, V. J. Kozlovskij, A. S. Nasibov, P. V. Shapkin: J. Cryst. Growth 159, 181 (1996)
16.9.
J. F. Wang, A. Omino, M. Isshiki: Mater. Sci. Eng. 83, 185 (2001)
16.10.
S. H. Song, J. F. Wang, G. M. Lalev, L. He, M. Isshiki: J. Cryst. Growth 252, 102 (2003)
16.11.
H. Harmann, R. Mach, B. Sell: In: Current Topics Mater. Sci., Vol. 9, ed. by E. Kaldis (North-Holland, Amsterdam 1982) pp. 1–414
16.12.
P. Rudolph, N. Schäfer, T. Fukuda: Mater. Sci. Eng. 15, 85 (1995)
16.13.
R. Shetty, R. Balasubramanian, W. R. Wilcox: J. Cryst. Growth 100, 51 (1990)
16.14.
K. W. Böer: Survey of Semiconductor Physics, Vol. 1: Electrons and Other Particales in Bulk Semiconductors (Van Nostrand, New York 1990)
16.15.
C. M. Wolf, N. Holonyak, G. E. Stillman: Physical Properties of Semiconductors (Prentice Hall, New York 1989)
16.16.
L. Smart, E. Moore: Solid State Chemistry, 2nd edn. (Chapman Hall, New York 1995)
16.17.
E. Lide(Ed.): Handbook of Chemistry and Physics, 2nd edn. (CRC, Boca Raton 1973)
16.18.
J. Singh: Physics of Semiconductors and Their Heterostructures (McGraw–Hill, New York 1993)
16.19.
N. Yamamoto, H. Horinaka, T. Miyauchi: Jpn. J. Appl. Phys. 18, 225 (1997)
16.20.
H. Neumann: Kristall Technik 15, 849 (1980)
16.21.
J. Camassel, D. Auvergne, H. Mathieu: J. Phys. Colloq. 35, C3–67 (1974)
16.22.
W. Shan, J. J. Song, H. Luo, J. K. Furdyna: Phys. Rev. 50, 8012 (1994)
16.23.
K. A. Dmitrenko, S. G. Shevel, L. V. Taranenko, A. V. Marintchenko: Phys. Status Solidi B 134, 605 (1986)
16.24.
S. Logothetidis, M. Cardona, P. Lautenschlager, M. Garriga: Phys. Rev. B 34, 2458 (1986)
16.25.
R. C. Sharma, Y. A. Chang: J. Cryst. Growth 88, 192 (1988)
16.26.
H. Okada, T. Kawanaka, S. Ohmoto: J. Cryst. Growth 165, 31 (1996)
16.27.
N. Kh. Abrikosov, V. F. Bankina, L. B. Poretzkaya, E. V. Skudnova, S. N. Chichevskaya: Poluprovodnikovye chalkogenidy i splavy na ikh osnovje (Nauka, Moscow 1975) (in Russian)
16.28.
R. F. Brebrick: J. Cryst. Growth 86, 39 (1988)
16.29.
M. R. Lorenz: Physics and Chemistry of II–VI Compounds, ed. by M. Aven, J. S. Prener (North Holland, Amsterdam 1967) pp. 210–211
16.30.
T. Yao: Optoelectron. Dev. Technol. 6, 37 (1991)
16.31.
H. Nakamura, M. Aoki: Jpn. J. Appl. Phys. 20, 11 (1981)
16.32.
C. Werkhoven, B. J. Fitzpatrik, S. P. Herko, R. N. Bhargave, P. J. Dean: Appl. Phys. Lett. 38, 540 (1981)
16.33.
H. Nakamura, S. Kojima, M. Wasgiyama, M. Aoki: Jpn. J. Appl. Phys. 23, L617 (1984)
16.34.
V. M. Skobeeva, V. V. Serdyuk, L. N. Semenyuk, N. V. Malishin: J. Appl. Spectrosc. 44, 164 (1986)
16.35.
P. Lilley, P. L. Jones, C. N. W. Litting: J. Mater. Sci. 5, 891 (1970)
16.36.
T. Matsumoto, T. Morita, T. Ishida: J. Cryst. Growth 53, 225 (1987)
16.37.
S. Zhang, H. Kinto, T. Yatabe, S. Iida: J. Cryst. Growth 86, 372 (1988)
16.38.
S. Iida, T. Yatabe, H. Kinto: Jpn. J. Appl. Phys. 28, L535 (1989)
16.39.
P. Besomi, B. W. Wessels: J. Cryst. Growth 55, 477 (1981)
16.40.
T. Kyotani, M. Isshiki, K. Masumoto: J. Electrochem. Soc. 136, 2376 (1989)
16.41.
N. Stucheli, E. Bucher: J. Electron. Mater. 18, 105 (1989)
16.42.
M. Nishio, Y. Nakamura, H. Ogawa: Jpn. J. Appl. Phys. 22, 1101 (1983)
16.43.
N. Lovergine, R. Cingolani, A. M. Mancini, M. Ferrara: J. Cryst. Growth 118, 304 (1992)
16.44.
O. De. Melo, E. Sánchez, S. De. Roux, F. Rábago-Bernal: Mater. Chem. Phys., 59, 120 (1999)
16.45.
M. Kasuga, H. Futami, Y. Iba: J. Cryst. Growth 115, 711 (1991)
16.46.
J. F. Wang, K. Kikuchi, B. H. Koo, Y. Ishikawa, W. Uchida, M. Isshiki: J. Cryst. Growth 187, 373 (1998)
16.47.
J. Humenberger, G. Linnet, K. Lischka: Thin Solid Films 121, 75 (1984)
16.48.
F. Sasaki, T. Mishina, Y. Masumoto: J. Cryst. Growth 117, 768 (1992)
16.49.
B. J. Kim, J. F. Wang, Y. Ishikawa, S. Sato, M. Isshiki: Phys. Stat. Sol. (a) 191, 161 (2002)
16.50.
A. Rogalski, J. Piotrowski: Prog. Quantum Electron. 12, 87 (1988)
16.51.
G. M. Lalev, J. Wang, S. Abe, K. Masumoto, M. Isshiki: J. Crystal Growth 256, 20 (2003)
16.52.
H. M. Manasevit: Appl. Phys. Lett. 12, 1530 (1968)
16.53.
Sg. Fujita, M. Isemura, T. Sakamoto, N. Yoshimura: J. Cryst. Growth 86, 263 (1988)
16.54.
H. Mitsuhashi, I. Mitsuishi, H. Kukimoto: J. Cryst. Growth 77, 219 (1986)
16.55.
P. J. Wright, P. J. Parbrook, B. Cockayne, A. C. Jones, E. D. Orrell, K. P. OʼDonnell, B. Henderson: J. Cryst. Growth 94, 441 (1989)
16.56.
S. Hirata, M. Isemura, Sz. Fujita, Sg. Fujita: J. Cryst. Growth 104, 521 (1990)
16.57.
S. Nishimura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 32, L425 (1993)
16.58.
K. P. Giapis, K. F. Jensen, J. E. Potts, S. J. Pachuta: Appl. Phys. Lett. 55, 463 (1989)
16.59.
S. J. Pachuta, K. F. Jensen, S. P. Giapis: J. Cryst. Growth 107, 390 (1991)
16.60.
M. Danek, J. S. Huh, L. Foley, K. F. Jenson: J. Cryst. Growth 145, 530 (1994)
16.61.
W. Kuhn, A. Naumov, H. Stanzl, S. Bauer, K. Wolf, H. P. Wagner, W. Gebhardt, U. W. Pohl, A. Krost, W. Richter, U. Dümichen, K. H. Thiele: J. Cryst. Growth 123, 605 (1992)
16.62.
J. K. Menno, J. W. Kerri, F. H. Robert: J. Phys. Chem. B 101, 4882 (1997)
16.63.
H. P. Wagner, W. Kuhn, W. Gebhardt: J. Cryst. Growth 101, 199 (1990)
16.64.
N. R. Taskar, B. A. Khan, D. R. Dorman, K. Shahzad: Appl. Phys. Lett. 62, 270 (1993)
16.65.
Y. Fujita, T. Terada, T. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1034 (1995)
16.66.
J. Wang, T. Miki, A. Omino, K. S. Park, M. Isshiki: J. Cryst. Growth 221, 393 (2000)
16.67.
M. K. Lee, M. Y. Yeh, S. J. Guo, H. D. Huang: J. Appl. Phys. 75, 7821 (1994)
16.68.
A. Toda, T. Margalith, D. Imanishi, K. Yanashima, A. Ishibashi: Electron. Lett. 31, 1921 (1995)
16.69.
A. Cho: J. Vac. Sci. Tech. 8, S31 (1971)
16.70.
C. T. Foxon: J. Cryst. Growth 251, 130 (2003)
16.71.
T. Yao: The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, ed. by E. H. C. Parker (Plenum, New York 1985) Chap. 10, p. 313
16.72.
E. Veuhoff, W. Pletschen, P. Balk, H. Luth: J. Cryst. Growth 55, 30 (1981)
16.73.
M. B. Panish, S. Sumski: J. Appl. Phys. 55, 3571 (1984)
16.74.
Y. P. Chen, G. Brill, N. K. Dhar: J. Cryst. Growth 252, 270 (2003)
16.75.
H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, T. Yao: J. Cryst. Growth 237-239, 538 (2002)
16.76.
M. Imaizumi, M. Adachi, Y. Fujii, Y. Hayashi, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno: J. Cryst. Growth 221, 688 (2000)
16.77.
W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, G. C. Hua, N. Otsuka, H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko: Appl. Phys. Lett. 60, 463 (1992)
16.78.
S. Guha, A. Madhukar, K. C. Rajkumar: Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990)
16.79.
E. Bauer, J. H. van der Merwe: Phys. Rev. B 33, 3657 (1986)
16.80.
J. Drucker, S. Chapparro: Appl. Phys. Lett. 71, 614 (1997)
16.81.
S. H. Xin, P. D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrowolska, J. L. Merz, J. K. Furdyna: Appl. Phys. Lett. 69, 3884 (1996)
16.82.
M. C. Harris Liao, Y. H. Chang, Y. H. Chen, J. W. Hsu, J. M. Lin, W. C. Chou: Appl. Phys. Lett. 70, 2256 (1997)
16.83.
Y. Terai, S. Kuroda, K. Takita, T. Okuno, Y. Masumoto: Appl. Phys. Lett. 73, 3757 (1998)
16.84.
M. Kobayashi, S. Nakamura, K. Wakao, A. Yoshikawa, K. Takahashi: J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1316 (1998)
16.85.
S. O. Ferreira, E. C. Paiva, G. N. Fontes, B. R. A. Neves: J. Appl. Phys. 93, 1195 (2003)
16.86.
M. A. Herman, J. T. Sadowski: Cryst. Res. Technol. 34, 153 (1999)
16.87.
M. Ahonen, M. Pessa, T. Suntola: Thin Solid Films 65, 301 (1980)
16.88.
M. Ritala, M. Leskelä: Nanotechnology 10, 19 (1999)
16.89.
H. Hartmann: J. Cryst. Growth 42, 144 (1977)
16.90.
M. Shiloh, J. Gutman: J. Cryst. Growth 11, 105 (1971)
16.91.
S. Hassani, A. Tromson-Carli, A. Lusson, G. Didier, R. Triboulet: Phys. Stat. Sol. (b) 229, 835 (2002)
16.92.
W. W. Piper, S. J. Polich: J. Appl. Phys. 32, 1278 (1961)
16.93.
A. C. Prior: J. Electrochem. Soc. 108, 106 (1961)
16.94.
T. Kiyosawa, K. Igaki, N. Ohashi: Trans. Jpn. Inst. Metala 13, 248 (1972)
16.95.
T. Ohno, K. Kurisu, T. Taguchi: J. Cryst. Growth 99, 737 (1990)
16.96.
M. Isshiki, T. Tomizono, T. Yoshita, T. Ohkawa, K. Igaki: J. Jpn. Inst. Metals 48, 1176 (1984)
16.97.
X. M. Huang, K. Igaki: J. Cryst. Growth 78, 24 (1986)
16.98.
M. Isshiki, T. Yoshita, K. Igaki, W. Uchida, S. Suto: J. Cryst. Growth 72, 162 (1985)
16.99.
M. Isshiki: J. Cryst. Growth 86, 615 (1988)
16.100.
T. Ohyama, E. Otsuka, T. Yoshita, M. Isshiki, K. Igaki: Jpn. J Appl. Phys. 23, L382 (1984)
16.101.
T. Ohyama, K. Sakakibara, E. Otsuka, M. Isshiki, K. Igaki: Phys. Rev. B 37, 6153 (1988)
16.102.
Y. M. Tairov, V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43, 209 (1978)
16.103.
G. Cantwell, W. C. Harsch, H. L. Cotal, B. G. Markey, S. W. S. McKeever, J. E. Thomas: J. Appl. Phys. 71, 2931 (1992)
16.104.
Yu. V. Korostelin, V. I. Kozlovsky, A. S. Nasibov, P. V. Shapkin: J. Cryst. Growth 161, 51 (1996)
16.105.
S. Fujita, H. Mimoto, H. Takebe, T. Noguchi: J. Cryst. Growth 47, 326 (1979)
16.106.
K. Byrappa: Hydrothermal Growth of Crystal, ed. by K. Byrappa (Pergamon, Oxford 1991)
16.107.
A. C. Walker: J. Am. Ceram. Soc. 36, 250 (1953)
16.108.
R. A. Laudice, E. D. Kolg, A. J. Caporaso: J. Am. Ceram. Soc. 47, 9 (1964)
16.109.
M. Suscavage, M. Harris, D. Bliss, P. Yip, S.-Q. Wang, D. Schwall, L. Bouthillette, J. Bailey, M. Callahan, D. C. Look, D. C. Reynolds, R. L. Jones, C. W. Litton: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res 4S1, G3.40 (1999)
16.110.
L. N. Demianets, D. V. Kostomarov: Ann. Chim. Sci. Mater. 26, 193 (2001)
16.111.
N. Ohashi, T. Ohgaki, T. Nakata, T. Tsurumi, T. Sekiguchi, H. Haneda, J. Tanaka: J. Kor. Phys. Soc. 35, S287 (1999)
16.112.
D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Gantwell, W. C. Harsch: Solid State Commun. 105, 399 (1988)
16.113.
T. Sekiguchi, S. Miyashita, K. Obara, T. Shishido, N. Sakagami: J. Cryst. Growth 214/215, 72 (2000)
16.114.
P. Höschl, Yu. M. Ivanov, E. Belas, J. Franc, R. Grill, D. Hlidek, P. Moravec, M. Zvara, H. Sitter, A. Toth: J. Cryst. Growth 184/185, 1039 (1998)
16.115.
T. Fukuda, K. Umetsu, P. Rudolph, H. J. Koh, S. Iida, H. Uchiki, N. Tsuboi: J. Cryst. Growth 161, 45 (1996)
16.116.
A. Omino, T. Suzuki: J. Cryst. Growth 117, 80 (1992)
16.117.
I. Kikuma, M. Furukoshi: J. Cryst. Growth 71, 136 (1985)
16.118.
J. F. Wang, A. Omino, M. Isshiki: J. Cryst. Growth 214/215, 875 (2000)
16.119.
J. Wang, A. Omino, M. Isshiki: J. Cryst. Growth 229, 69 (2001)
16.120.
J. F. Wang, A. Omino, M. Isshiki: Mater. Sci. Eng. B 83, 185 (2001)
16.121.
P. Rudolph, N. Schäfer, T. Fukuda: Mater. Sci. Eng. R 15, 85 (1995)
16.122.
T. Asahi, A. Arakawa, K. Sato: J. Cryst. Growth 229, 74 (2001)
16.123.
M. Ohmori, Y. Iwase, R. Ohno: Mater. Sci. Eng. B 16, 283 (1999)
16.124.
R. Triboulet: Prog. Cryst. Growth Char. Mater. 128, 85 (1994)
16.125.
H. H. Woodbury, R. S. Lewandowski: J. Cryst. Growth 10, 6 (1971)
16.126.
R. Triboulet: Cryst. Res. Technol. 38, 215 (2003)
16.127.
T. Asahi, T. Yabe, K. Sato: The Japan Society of Applied Physics and Related Societies, Extended Abstracts, The 50th Spring Meeting, (2003) p. 332
Metadaten
Titel
Wide-Bandgap II–VI Semiconductors: Growth and Properties
verfasst von
Jifeng Wang, Ph.D.
Minoru Isshiki, Prof.
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer US
Buch
Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Print ISBN: 978-0-387-26059-4

Electronic ISBN: 978-0-387-29185-7

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-0-387-29185-7_16

Neuer Inhalt

    Bildnachweise