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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 1/2018

13.02.2017 | Technical Paper

0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

verfasst von: Ja-Hao Chen, Chih-Wei Huang

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 1/2018

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Abstract

A CMOS–microelectromechanical systems (MEMS) accelerometer chip produced using Taiwan Semiconductor Manufacturing Company 0.35 μm CMOS technology and the Chip Implementation Center micromachining postprocess is proposed in this study. The chip integrates a MEMS gravity sensor and a readout circuit on a silicon substrate. The measured results indicated that the resonant frequency, mechanical noise, static capacitance, sensitivity, and noise floor characteristics were 3.1 kHz, 6.673 μg/√Hz, 120 fF, 2.4 mV/g, and 29.447 μV/√Hz, respectively.
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Literatur
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Metadaten
Titel
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
verfasst von
Ja-Hao Chen
Chih-Wei Huang
Publikationsdatum
13.02.2017
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 1/2018
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-017-3312-1

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