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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

A 10 MHz, 42 ppm/\( ^{ \circ } {\text{C}} \), 69 μW PVT Compensated Latch Based Oscillator in BCD9S Technology for PCM

verfasst von : Vivek Tyagi, M. S. Hashmi, Ganesh Raj, Vikas Rana

Erschienen in: VLSI Design and Test

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

In this paper, a PVT compensated, 10 MHz oscillator in 0.11 µm BCD9S (Bipolar CMOS DMOS) technology for embedded phase change memories (PCM) is reported. The proposed oscillator produces a frequency deviation of ±0.4% for typical corner, ±2% for slow corner and ±1.5% for fast corner around 10 MHz across −40 °C to 150 °C at a regulated supply of 1.8 V. It is a significant advancement in the existing state-of-the-art for frequency references.

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Metadaten
Titel
A 10 MHz, 42 ppm/, 69 μW PVT Compensated Latch Based Oscillator in BCD9S Technology for PCM
verfasst von
Vivek Tyagi
M. S. Hashmi
Ganesh Raj
Vikas Rana
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer Singapore
Buch
VLSI Design and Test

Print ISBN: 978-981-10-7469-1

Electronic ISBN: 978-981-10-7470-7

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-7470-7_60

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