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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2011

01.06.2011 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

A Comment to the paper by E.A. Tatokhin, A.V. Kadantsev, A.E. Bormontov, and V.G. Zadorozhniy “a statistical method of deep-level transient spectroscopy in semiconductors”

verfasst von: N. A. Yarykin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2011

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Titel
A Comment to the paper by E.A. Tatokhin, A.V. Kadantsev, A.E. Bormontov, and V.G. Zadorozhniy “a statistical method of deep-level transient spectroscopy in semiconductors”
verfasst von
N. A. Yarykin
Publikationsdatum
01.06.2011
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2011
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261106025X

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