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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2011

01.06.2011 | Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)

Model of boron diffusion from gas phase in silicon carbide

verfasst von: O. V. Aleksandrov, E. N. Mokhov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2011

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Metadaten
Titel
Model of boron diffusion from gas phase in silicon carbide
verfasst von
O. V. Aleksandrov
E. N. Mokhov
Publikationsdatum
01.06.2011
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2011
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782611060029

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