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Erschienen in:

01.10.2009

A new F(ast)-CMS NEGF algorithm for efficient 3D simulations of switching characteristics enhancement in constricted tunnel barrier silicon nanowire MuGFETs

verfasst von: Aryan Afzalian, Nima Dehdashti Akhavan, Chi-Woo Lee, Ran Yan, Isabelle Ferain, Pedram Razavi, Jean-Pierre Colinge

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 3-4/2009

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Titel: A new F(ast)-CMS NEGF algorithm for efficient 3D simulations of switching characteristics enhancement in constricted tunnel barrier silicon nanowire MuGFETs
verfasst von: Aryan Afzalian
Nima Dehdashti Akhavan
Chi-Woo Lee
Ran Yan
Isabelle Ferain
Pedram Razavi
Jean-Pierre Colinge
Publikationsdatum: 01.10.2009
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Computational Electronics / Ausgabe 3-4/2009
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-009-0283-1

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