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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2015

01.09.2015

Band alignment tuned by 3-PPA SAMs interfacial modification to enhance the conversion efficiency of ZnO/ZnS heterostructure quantum dots sensitized solar cells

verfasst von: Lili Yang, Hongmei Luan, Gang Chen, Yunfei Sun, Xiangwang Kong, Jinghai Yang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2015

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Abstract

The 3-Phosphonopropionic acid (3-PPA) self-assembled monolayers with a phosphonic acid headgroup and carboxylic acid tailgroups were introduced into the interface of ZnO/ZnS heterostructure by a simple chemical immersion process. Ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS) was utilized to determine the variation of band alignment. The UPS results revealed that the 3-PPA can act as buffer layer in ZnO/ZnS heterostructure to lower the energy barrier formed by ZnS. This new energy barrier can not only work efficiently on retarding the back transfer of electrons, but also weaken the blocking effect on the charge injection process, which finally results in the enhancement of photoelectric conversion efficiency.
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Metadaten
Titel
Band alignment tuned by 3-PPA SAMs interfacial modification to enhance the conversion efficiency of ZnO/ZnS heterostructure quantum dots sensitized solar cells
verfasst von
Lili Yang
Hongmei Luan
Gang Chen
Yunfei Sun
Xiangwang Kong
Jinghai Yang
Publikationsdatum
01.09.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3318-3

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