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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2013

01.12.2013

Bi4Ti3O12 modified low voltage ZnO-based varistors: microstructure, electrical properties and aging characteristics

verfasst von: Huanfu Zhou, Ruli Guo, Dongjin Chu, Baocheng Chang, Yuandong Qin, Liang Fang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2013

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Abstract

The effects of Bi4Ti3O12 addition on the microstructure, electrical properties and aging characteristics of ZnO-based varistors were investigated. The addition of Bi4Ti3O12 can reduce the formation of Zn2TiO4 spinel phase and promote the growth of ZnO grain. Bi4Ti3O12 doped ZnO-based varistors sintered at 1,130 °C possessed excellent performance of I L = 2.9 μA, E 1mA = 29.7 V/mm, α = 30.2, and good surge absorption capability with %△E 1mA = −3.5 % for 500 A 8/20 μs impulse current. In addition, the varistors exhibited the most stable accelerated aging characteristics with %△E 1mA = −0.3 % for DC accelerated aging stress of 125 °C/7 h. These results revealed that Bi4Ti3O12 addition is highly beneficial to attain enhanced varistor properties of ZnO ceramics.
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Metadaten
Titel
Bi4Ti3O12 modified low voltage ZnO-based varistors: microstructure, electrical properties and aging characteristics
verfasst von
Huanfu Zhou
Ruli Guo
Dongjin Chu
Baocheng Chang
Yuandong Qin
Liang Fang
Publikationsdatum
01.12.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1513-7

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