Skip to main content
Erschienen in: Semiconductors 4/2004

01.04.2004 | Physics of Semiconductor Devices

Characteristics of nuclear radiation detectors based on semi-insulating gallium arsenide

verfasst von: E. M. Verbitskaya, V. K. Eremin, A. M. Ivanov, N. B. Strokan, V. I. Vasil'ev, V. N. Gavrin, E. P. Veretenkin, Yu. P. Kozlova, V. B. Kulikov, A. V. Markov, A. Ya. Polyakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2004

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadaten
Titel
Characteristics of nuclear radiation detectors based on semi-insulating gallium arsenide
verfasst von
E. M. Verbitskaya
V. K. Eremin
A. M. Ivanov
N. B. Strokan
V. I. Vasil'ev
V. N. Gavrin
E. P. Veretenkin
Yu. P. Kozlova
V. B. Kulikov
A. V. Markov
A. Ya. Polyakov
Publikationsdatum
01.04.2004
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2004
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1734677

Weitere Artikel der Ausgabe 4/2004

Semiconductors 4/2004 Zur Ausgabe

Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

A theory of the effect of impurities on the yield stress of silicon crystals

Amorphous, Vitreous, and Porous Semiconductors

Electrical properties of fine-grained polycrystalline CdTe

Premium Partner