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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2015

01.01.2015

Characterization of rf sputtered Sb2Te3 thin films for back contacts to CdS/CdTe solar cells

verfasst von: N. R. Paudel, K. A. Wieland, A. D. Compaan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2015

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Abstract

We have studied the morphology and transport properties of magnetron sputtered Sb2Te3 films including their suitability as back contacts for sputtered CdS/CdTe solar cells. Sb2Te3 films were sputtered onto boro-aluminosilicate glass at temperatures from ~30 °C (room temperature) to 270 °C and characterized by X-ray diffraction, Hall-effect studies, and thermoelectric power measurements. Some films received post-deposition annealing up to 350 °C. Over these conditions, grain size reached 80 nm, hole carrier concentration 2 × 1020 cm−3, mobility 170 cm2/V s, and Seebeck coefficient 260 µV/K. Two-micron-thick CdS/CdTe solar cells completed with Sb2Te3/Mo back contacts yielded 10 % efficiency; however the addition of 3 nm of Cu after the Sb2Te3 yielded >12 % efficiency. Comparative results are also given for 300 h of accelerated life testing under one-sun illumination at 85 °C.
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Metadaten
Titel
Characterization of rf sputtered Sb2Te3 thin films for back contacts to CdS/CdTe solar cells
verfasst von
N. R. Paudel
K. A. Wieland
A. D. Compaan
Publikationsdatum
01.01.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2366-4

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