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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2015

01.05.2015

Characterization of V-shaped Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers

verfasst von: Fangzhen Wu, Huanhuan Wang, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, Gil Chung, Jie Zhang, Bernd Thomas, Edward K. Sanchez, Stephan G. Mueller, Darren Hansen, Mark J. Loboda, Lihua Zhang, Dong Su, Kim Kisslinger, Eric Stach

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2015

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Metadaten
Titel
Characterization of V-shaped Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers
verfasst von
Fangzhen Wu
Huanhuan Wang
Balaji Raghothamachar
Michael Dudley
Gil Chung
Jie Zhang
Bernd Thomas
Edward K. Sanchez
Stephan G. Mueller
Darren Hansen
Mark J. Loboda
Lihua Zhang
Dong Su
Kim Kisslinger
Eric Stach
Publikationsdatum
01.05.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2015
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-014-3536-0

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