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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2015

01.01.2015

Cu2ZnSnS4 thin film solar cell fabricated by co-electrodeposited metallic precursor

verfasst von: Yi Li, Tengfei Yuan, Liangxing Jiang, Fangyang Liu, Yexiang Liu, Yanqing Lai

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2015

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Abstract

Copper, tin and zinc have been co-electrodeposited on Mo-coated glass substrates via an electrochemical process with the aim at preparing kesterite absorber for thin film solar cells. The co-electrodeposition behavior of Cu–Sn–Zn (CZT) thin film has been studied by using linear voltammetery technique. The as-electrodeposited, pre-annealed and sulfurized films were characterised by scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy. To obtain suitable composition and high crystallinity, deposition potential and sulfurization temperature have been optimized. As the results, the solar cell fabricated with the CZTS thin film sulfurized at 560 °C showed a conversion efficiency of 3.74 %. The estimated band-gap energy from the external quantum efficiency measurements is about 1.48 eV.
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Metadaten
Titel
Cu2ZnSnS4 thin film solar cell fabricated by co-electrodeposited metallic precursor
verfasst von
Yi Li
Tengfei Yuan
Liangxing Jiang
Fangyang Liu
Yexiang Liu
Yanqing Lai
Publikationsdatum
01.01.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2384-2

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