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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/1998

01.02.1998 | Semiconductor Structures, Interfaces and Surfaces

Current-voltage characteristics of Si:B blocked impurity-band structures under conditions of hopping-transport-limited photoresponse

verfasst von: B. A. Aronzon, D. Yu. Kovalev, A. M. Kozlov, J. Leotin, V. V. Ryl’kov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/1998

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Metadaten
Titel
Current-voltage characteristics of Si:B blocked impurity-band structures under conditions of hopping-transport-limited photoresponse
verfasst von
B. A. Aronzon
D. Yu. Kovalev
A. M. Kozlov
J. Leotin
V. V. Ryl’kov
Publikationsdatum
01.02.1998
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/1998
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1187339

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