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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2014

01.09.2014 | Electronic Properties of Semiconductors

Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers

verfasst von: I. V. Osinnykh, K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2014

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Metadaten
Titel
Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers
verfasst von
I. V. Osinnykh
K. S. Zhuravlev
T. V. Malin
B. Ya. Ber
D. Yu. Kazantsev
Publikationsdatum
01.09.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614090176

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