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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2014

01.09.2014 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

High-power AlGaInN LED chips with two-level metallization

verfasst von: D. A. Zakheim, G. V. Itkinson, M. V. Kukushkin, L. K. Markov, O. V. Osipov, A. S. Pavlyuchenko, I. P. Smirnova, A. E. Chernyakov, D. A. Bauman

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2014

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Metadaten
Titel
High-power AlGaInN LED chips with two-level metallization
verfasst von
D. A. Zakheim
G. V. Itkinson
M. V. Kukushkin
L. K. Markov
O. V. Osipov
A. S. Pavlyuchenko
I. P. Smirnova
A. E. Chernyakov
D. A. Bauman
Publikationsdatum
01.09.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614090267

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