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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16/2018

25.06.2018

Determination of the critical carrier concentration for the metal–insulator transition in Ga-doped ZnO

verfasst von: M. Sbeta, T. Serin, A. Yildiz

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 16/2018

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Abstract

Ga-doped ZnO (GZO) thin films with different Ga contents (1, 2, 4, 3, and 5 at.%) were successfully deposited on glass substrates using a spin-coating process. The temperature dependent electrical conductivity and room-temperature Hall effect measurements were performed for the films. The variation of electrical conductivity with Ga content was well explained by considering the change in the inelastic diffusion length of electrons. The critical value of carrier concentration for the metal–insulator transition was estimated as 1.77 × 1018 cm−3 for GZO. The critical value of Ga content, where Ga as a donor source becomes ineffective, on the order of 5.25 at.% was obtained.
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Metadaten
Titel
Determination of the critical carrier concentration for the metal–insulator transition in Ga-doped ZnO
verfasst von
M. Sbeta
T. Serin
A. Yildiz
Publikationsdatum
25.06.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 16/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9543-9

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