Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2018

01.02.2018 | Electronic Properties of Semiconductors

Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers

verfasst von: M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Electrically Active States of Charge Capture and Transfer Causing Slow Recombination in Thallium-Bromide Crystals at Low Temperatures
Nächster Artikel Investigation of the Far-IR Reflection Spectra of SmS Single Crystals and Polycrystals in the Homogeneity Range

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers
verfasst von
M. M. Sobolev
F. Yu. Soldatenkov
Publikationsdatum
01.02.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618020173

Weitere Artikel der Ausgabe 2/2018

Semiconductors 2/2018 Zur Ausgabe

Electronic Properties of Semiconductors

Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime

Electronic Properties of Semiconductors

Electrically Active States of Charge Capture and Transfer Causing Slow Recombination in Thallium-Bromide Crystals at Low Temperatures

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Luminescence Properties of Cd x Zn1 – x O Thin Films

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Electron Transport in PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum Wells at Different Temperatures: Influence of One-Side δ-Si Doping

Premium Partner

    Bildnachweise