Skip to main content
Erschienen in: Semiconductors 3/2014

01.03.2014 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Effect of features of the technology of polycrystalline CdTe growth on the conductivity and deep level spectrum after annealing

verfasst von: E. A. Bobrova, Yu. V. Klevkov, S. G. Chernook, N. N. Senturina

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2014

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadaten
Titel
Effect of features of the technology of polycrystalline CdTe growth on the conductivity and deep level spectrum after annealing
verfasst von
E. A. Bobrova
Yu. V. Klevkov
S. G. Chernook
N. N. Senturina
Publikationsdatum
01.03.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261403004X

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2014

Semiconductors 3/2014 Zur Ausgabe

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Electron-phonon interaction in short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) superlattices

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Molecular beam epitaxy of GaPN, GaPAsN, and InGaPN nitride solid solutions

Premium Partner