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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2014

01.03.2014 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Si1 − x Ge x /Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates

verfasst von: S. A. Denisov, S. A. Matveev, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, Yu. N. Drozdov, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasilnik

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2014

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Metadaten
Titel
Si1 − x Ge x /Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates
verfasst von
S. A. Denisov
S. A. Matveev
V. Yu. Chalkov
V. G. Shengurov
Yu. N. Drozdov
M. V. Stepikhova
D. V. Shengurov
Z. F. Krasilnik
Publikationsdatum
01.03.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614030099

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