Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

01.08.2012 | Physics of Semiconductor Devices | Ausgabe 8/2012

Semiconductors 8/2012

Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 8/2012
Autoren:
N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, P. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 69.000 Bücher
  • über 500 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 58.000 Bücher
  • über 300 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 50.000 Bücher
  • über 380 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 8/2012

Semiconductors 8/2012 Zur Ausgabe

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures

Premium Partner

    Bildnachweise