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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2012

01.08.2012 | Physics of Semiconductor Devices

Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density

verfasst von: N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, P. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2012

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Metadaten
Titel
Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density
verfasst von
N. I. Bochkareva
V. V. Voronenkov
R. I. Gorbunov
A. S. Zubrilov
P. E. Latyshev
Yu. S. Lelikov
Yu. T. Rebane
A. I. Tsyuk
Yu. G. Shreter
Publikationsdatum
01.08.2012
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2012
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782612080039

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