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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2008

01.12.2008

Effect of plasma treated sol-gel dielectric towards the morphology of pentacene

verfasst von: K. C. Aw, N. Tjitra Salim, Anup Lohani, W. Gao

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2008

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Abstract

This paper discusses the effect of forming gas (93%N2 + 7%H2) plasma treatment for sol-gel methyl-silsesquioxane (MSQ) as a dielectric film towards the grain morphology of a solution processable pentacene. Atomic force microscopy and X-ray diffractometer results confirm that a brief (10 s) plasma treatment for MSQ increases the grain size of pentacene and encourages its growth in thin-film phase. This paper also demonstrates that the presence of large Si(CH3)3 bonds on the MSQ surface are very important to encourage the growth of pentacene’s molecules in thin-film phase. In addition, this paper also suggests that there is no strong relationship between the grain size and ordering of pentacene molecules.
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Metadaten
Titel
Effect of plasma treated sol-gel dielectric towards the morphology of pentacene
verfasst von
K. C. Aw
N. Tjitra Salim
Anup Lohani
W. Gao
Publikationsdatum
01.12.2008
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2008
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-008-9580-x

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