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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2014

01.09.2014 | Physics of Semiconductor Devices

Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction InGaP/Ga(In)As/Ge solar cells

verfasst von: V. M. Andreev, E. A. Grebenshchikova, P. A. Dmitriev, N. D. Ilinskaya, V. S. Kalinovsky, E. V. Kontrosh, A. V. Malevskaya, A. A. Usikova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2014

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Metadaten
Titel
Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction InGaP/Ga(In)As/Ge solar cells
verfasst von
V. M. Andreev
E. A. Grebenshchikova
P. A. Dmitriev
N. D. Ilinskaya
V. S. Kalinovsky
E. V. Kontrosh
A. V. Malevskaya
A. A. Usikova
Publikationsdatum
01.09.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614090024

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