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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2006

01.10.2006 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Effect of the levels of intrinsic defects in the CdP2 band gap on electrical characteristics of corresponding structures with the Schottky barrier

verfasst von: I. G. Stamov, D. V. Tkachenko

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2006

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Metadaten
Titel
Effect of the levels of intrinsic defects in the CdP2 band gap on electrical characteristics of corresponding structures with the Schottky barrier
verfasst von
I. G. Stamov
D. V. Tkachenko
Publikationsdatum
01.10.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606100083

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