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Erschienen in: Semiconductors 9/2023

01.09.2023

Effect of Thermal History on the Properties of Efficient Thermoelectric Alloys Ge0.86Pb0.1Bi0.04Te

verfasst von: A. A. Shabaldin, A. Yu. Samunin, P. P. Konstantinov, S. V. Novikov, A. T. Burkov, Zhonglin Bu, Yanzhong Pei

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2023

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Abstract

In this work, we study thermoelectric properties of GeTei-based alloys, doped with bismuth, with partial substitution of lead for germanium: Ge0.86Pb0.1Bi0.04Te. The aim of the study is to explore the possibility of increasing the thermoelectric efficiency of a compound by combining optimal doping and isovalent substitution to improve the electronic properties with a simultaneous decrease of the lattice thermal conductivity. We studied alloy samples prepared in two different research laboratories using similar, but not completely identical procedures. It is shown that the electronic (thermoelectric power and electrical conductivity) properties of the samples of the two groups are in good agreement with each other. The properties of alloys depend on the thermal history of the samples due to the presence at temperatures of 600–800 K of a phase transition from a low-temperature rhombohedral to a high-temperature cubic structural modification and missibility gap in GeTe–PbTe quasibinary system below 870 K. The thermoelectric figure of merit of alloys reaches a maximum value of 1.5 at a temperature of about 750 K.

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Metadaten
Titel
Effect of Thermal History on the Properties of Efficient Thermoelectric Alloys Ge0.86Pb0.1Bi0.04Te
verfasst von
A. A. Shabaldin
A. Yu. Samunin
P. P. Konstantinov
S. V. Novikov
A. T. Burkov
Zhonglin Bu
Yanzhong Pei
Publikationsdatum
01.09.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378262302015X

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