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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2012

01.01.2012

Effect of Ti on the interfacial reaction between Sn and Cu

verfasst von: V. Vuorinen, H. Q. Dong, T. Laurila

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2012

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Abstract

The effect of Ti on the solid state reactions between Sn and Cu has been investigated in this work. Based on the experimental results the following statements about the effect of Ti can be made: Firstly, the presence of Ti does not have measurable effect on the thickness of either Cu6Sn5 or Cu3Sn during solid state annealing. However, the unevenness of both Cu6Sn5 and Cu3Sn layers is increased by the addition of Ti. Secondly, there is no marked solubility of Ti to either Cu6Sn5 or Cu3Sn. Rather Ti reacts with Sn to form large Ti2Sn3 platelets inside the solder matrix. These findings were subsequently rationalized with the help of the assessed Cu–Sn–Ti phase diagram. By utilizing this phase diagram information, the absence of any marked effects of Ti on the growth of Cu–Sn intermetallic compound (IMC) formation was rationalized. As there is a very low solubility of Ti to SnAg solder and to Cu–Sn IMC’s, Ti cannot change activities of components in the solder nor influence the stability of the IMC layers. Hence, these results throw significant doubts over the concept of trying to influence the Cu–Sn IMC layer thickness or quality by Ti alloying.

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Metadaten
Titel
Effect of Ti on the interfacial reaction between Sn and Cu
verfasst von
V. Vuorinen
H. Q. Dong
T. Laurila
Publikationsdatum
01.01.2012
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2012
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0426-6

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