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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2012

01.01.2012

Effects of Nb doping on microstructure and properties of Bi4Ti3−xNbxO12 thin films prepared by magnetron sputtering

verfasst von: Hua Wang, Xiaodan Huang, Jiwen Xu, Ling Yang, Shangju Zhou

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2012

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Abstract

Bi4Ti3−xNbxO12 ferroelectric thin films were fabricated on p-Si substrates by magnetron sputtering. The effects of Nb doping on microstructure and properties of Bi4Ti3−xNbxO12 films were investigated. Bi4Ti3−xNbxO12 films had the same structure as Bi4Ti3O12 with smaller and more uniform grains. The dielectric and ferroelectric properties of Bi4Ti3−xNbxO12 films were improved by Nb doping. Bi4Ti3−xNbxO12 films have better dielectric and ferroelectric properties with P r = 16.5 μC/cm2, E C < 100 kV/cm, ε r > 290, low dielectric loss (<0.9%) and clockwise C–V curves with a memory window of 0.9 V when x = 0.03–0.045, while an excessive Nb doping would lead to bad dielectric and ferroelectric properties.
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Metadaten
Titel
Effects of Nb doping on microstructure and properties of Bi4Ti3−xNbxO12 thin films prepared by magnetron sputtering
verfasst von
Hua Wang
Xiaodan Huang
Jiwen Xu
Ling Yang
Shangju Zhou
Publikationsdatum
01.01.2012
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2012
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0392-z

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