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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2013

01.01.2013

Effects of Zn addition on electromigration behavior of Sn–1Ag–0.5Cu solder interconnect

verfasst von: H. Y. Liu, Q. S. Zhu, Z. G. Wang, J. D. Guo, J. K. Shang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2013

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Abstract

Effects of electromigration on microstructure and tensile property were studied in the Sn–1Ag–0.5Cu and Sn–1Ag–0.5Cu–1Zn solder interconnects. While the polarity effect and strength reduction from electromigration occurred in the Sn–1Ag–0.5Cu solder interconnects, they were suppressed by the Zn addition in the Sn–1Ag–0.5Cu–1Zn solder interconnects. Such a strong effect of Zn was explained by the strong binding of Zn with Cu, which prevented the dissolution of the IMC at the cathode, and by the reverse migration of the Zn elements, which counteracted the increase in the vacancy concentration so that the strength reduction was successfully inhibited.
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Metadaten
Titel
Effects of Zn addition on electromigration behavior of Sn–1Ag–0.5Cu solder interconnect
verfasst von
H. Y. Liu
Q. S. Zhu
Z. G. Wang
J. D. Guo
J. K. Shang
Publikationsdatum
01.01.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-012-0714-9

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