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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 15/2017

12.04.2017

Efficient UV photodetector based on heterojunction of n-ZnO nanorods/p-diamond film

verfasst von: Yongbiao Wan, Shiyong Gao, Lin Li, Jiejing Zhang, Huaiyun Fan, Shujie Jiao, Jinzhong Wang, Qingjiang Yu, Dongbo Wang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 15/2017

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Abstract

ZnO nanorods (NRs) have been successfully fabricated on p-type boron-doped diamond (BDD) substrate by hydrothermal method. The current–voltage characteristics of the ZnO NRs/BDD heterojunction show a typical rectifying behavior with extremely low reverse leakage current and high rectification ratio of around 370 at bias of 3 V. Exposed to ultraviolet (UV) illumination with a wavelength of 365 nm, the time dependent photoresponse manifests high sensitivity and consistent transients with a rise time of 4.9 s and decay time of 6.4 s. Circulating on/off measurement under UV detection demonstrates the excellent stability and repeatability for as-fabricated ZnO NRs/BDD heterojunction. Furthermore, the mechanism for UV detection on the ZnO NRs/BDD heterojunction has also been discussed.
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Metadaten
Titel
Efficient UV photodetector based on heterojunction of n-ZnO nanorods/p-diamond film
verfasst von
Yongbiao Wan
Shiyong Gao
Lin Li
Jiejing Zhang
Huaiyun Fan
Shujie Jiao
Jinzhong Wang
Qingjiang Yu
Dongbo Wang
Publikationsdatum
12.04.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 15/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-6904-8

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