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Erschienen in: Semiconductors 4/2017

01.04.2017 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Electron mobility in the inversion layers of fully depleted SOI films

verfasst von: E. G. Zaitseva, O. V. Naumova, B. I. Fomin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2017

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Metadaten
Titel
Electron mobility in the inversion layers of fully depleted SOI films
verfasst von
E. G. Zaitseva
O. V. Naumova
B. I. Fomin
Publikationsdatum
01.04.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617040248

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