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Semiconductors

Erschienen in:

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Etching of Disc and Ring Patterns in Si₃N₄/GaN Structure by Ga+ FIB

verfasst von: M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

The work presents experimental data of Ga⁺ focused ion beam etching of disc and ring patterns in Si₃N₄/GaN structure. The reasons for the difference in etching depth between the discs and the rings are described.

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A. W. Bruch, C. Xiong, B. Leung, M. Poot, J. Han, and H. X. Tang, Appl. Phys. Lett. 107, 5 (2015).CrossRef

N. V. Trivino, U. Dharanipathy, J. F. Carlin, Z. Diao, R. Houdre, and N. Grandjean, Appl. Phys. Lett. 102, 4 (2013).

M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevski, and V. P. Evtikhiev, Semiconductors 52, 954 (2018).ADSCrossRef

Titel: Etching of Disc and Ring Patterns in Si3N4/GaN Structure by Ga+ FIB
verfasst von: M. I. Mitrofanov
G. V. Voznyuk
S. N. Rodin
W. V. Lundin
V. P. Evtikhiev
A. F. Tsatsulnikov
Publikationsdatum: 01.12.2019
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619120170

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