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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2018

01.07.2018 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching

verfasst von: M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevski, V. P. Evtikhiev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2018

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Metadaten
Titel
Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching
verfasst von
M. I. Mitrofanov
I. V. Levitskii
G. V. Voznyuk
E. E. Tatarinov
S. N. Rodin
M. A. Kaliteevski
V. P. Evtikhiev
Publikationsdatum
01.07.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618070151

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