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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 4/2004

01.04.2004 | Amorphous, Vitreous, and Porous Semiconductors

Exciton photoluminescence in doped quasi-1D structures based on silicon

verfasst von: A. V. Sachenko, D. V. Korbutyak, Yu. V. Kryuchenko, O. M. Sreseli

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2004

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Metadaten
Titel
Exciton photoluminescence in doped quasi-1D structures based on silicon
verfasst von
A. V. Sachenko
D. V. Korbutyak
Yu. V. Kryuchenko
O. M. Sreseli
Publikationsdatum
01.04.2004
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2004
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1734675

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