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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2001

01.03.2001 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Extension of the frequency range of the noise spectral density in silicon p-n structures irradiated with gamma-ray quanta

verfasst von: O. K. Baranovskii, P. V. Kuchinskii, V. M. Lutkovskii, A. P. Petrunin, E. D. Savenok

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2001

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Metadaten
Titel
Extension of the frequency range of the noise spectral density in silicon p-n structures irradiated with gamma-ray quanta
verfasst von
O. K. Baranovskii
P. V. Kuchinskii
V. M. Lutkovskii
A. P. Petrunin
E. D. Savenok
Publikationsdatum
01.03.2001
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2001
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1356158

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