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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2016

01.07.2016 | Electronic Properties of Semiconductors

Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–x Ti x FeSb Semiconductor

verfasst von: V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, Yu. V. Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2016

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Metadaten
Titel
Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–x Ti x FeSb Semiconductor
verfasst von
V. A. Romaka
P. Rogl
V. V. Romaka
D. Kaczorowski
Yu. V. Stadnyk
V. Ya. Krayovskyy
A. M. Horyn
Publikationsdatum
01.07.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616070204

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