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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2013

01.08.2013 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Features of defect formation during the growth of double heterostructures for injection lasers based on Al x Ga1 − x As y Sb1 − y /GaSb materials

verfasst von: G. F. Kuznetsov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2013

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Metadaten
Titel
Features of defect formation during the growth of double heterostructures for injection lasers based on Al x Ga1 − x As y Sb1 − y /GaSb materials
verfasst von
G. F. Kuznetsov
Publikationsdatum
01.08.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613080125

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