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Surface Engineering and Applied Electrochemistry
Erschienen in: Surface Engineering and Applied Electrochemistry 1/2023

01.02.2023

Features of the Interaction of a Radio-Frequency Discharge of Freon R-23 (CHF3) with Gallium Arsenide and Silicon

verfasst von: A. V. Dunaev

Erschienen in: Surface Engineering and Applied Electrochemistry | Ausgabe 1/2023

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Abstract

To provide the formation of the surface topography of semiconductors, a halogen-containing plasma, in particular, freons, is commonly used. The paper describes a comparative atomic force microscopy study of the plasma chemical interaction of freon R-23 with the surface of silicon and gallium arsenide semiconductors in terms of purity and uniformity of the process. Freon R-23 is commonly used in the technology of industrial etching of Si, Ge, and a number of other materials because it provides acceptable interaction rates while maintaining a uniform surface suitable for further procedures of the technological cycle.
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Metadaten
Titel
Features of the Interaction of a Radio-Frequency Discharge of Freon R-23 (CHF3) with Gallium Arsenide and Silicon
verfasst von
A. V. Dunaev
Publikationsdatum
01.02.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Surface Engineering and Applied Electrochemistry / Ausgabe 1/2023
Print ISSN: 1068-3755
Elektronische ISSN: 1934-8002
DOI
https://doi.org/10.3103/S1068375523010040

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