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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2018

01.03.2018 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Formation of a Stepped Si(100) Surface and Its Effect on the Growth of Ge Islands

verfasst von: M. Yu. Esin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2018

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Metadaten
Titel
Formation of a Stepped Si(100) Surface and Its Effect on the Growth of Ge Islands
verfasst von
M. Yu. Esin
A. I. Nikiforov
V. A. Timofeev
A. R. Tuktamyshev
V. I. Mashanov
I. D. Loshkarev
A. S. Deryabin
O. P. Pchelyakov
Publikationsdatum
01.03.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618030107

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