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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2013

01.12.2013

FTIR and dielectric studies of nickel doped potassium hexa-titanate (K2Ti6O13) fine ceramics

verfasst von: Mohd. Asim Siddiqui, Vishal Singh Chandel, Mohammad Shariq, Ameer Azam

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2013

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Abstract

The dielectric and electrical properties such as relative permittivity \((\varepsilon^{\prime } )\), loss tangent (tanδ), and ac conductivity (σac) have been studied in the temperature range 373–773 K at three different frequencies 100, 200, 400 kHz for doped potassium hexa-titanate (K2Ti6O13) samples. It was observed that dielectric constant and loss tangent decreases while ac conductivity increases with the increase in frequency. The temperature dependent relative permittivity showed a phase transition for all samples. Dielectric loss mechanism was observed to include space charge polarization and dipole orientation. Moreover, electron-hopping conduction was observed to be dominant in the low temperature region, whereas intratunnel ionic conduction prevailed at higher temperatures. Fourier transform infrared spectroscopy analysis was also carried out to identify the chemical bonds present in the specimens.

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Metadaten
Titel
FTIR and dielectric studies of nickel doped potassium hexa-titanate (K2Ti6O13) fine ceramics
verfasst von
Mohd. Asim Siddiqui
Vishal Singh Chandel
Mohammad Shariq
Ameer Azam
Publikationsdatum
01.12.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1466-x

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