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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2013

01.12.2013

PVD grown SnS thin films onto different substrate surfaces

verfasst von: N. Revathi, S. Bereznev, J. Iljina, M. Safonova, E. Mellikov, O. Volobujeva

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2013

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Abstract

Recent interests focus on tin mono sulphide as a potential candidate for an absorber layer in heterojunction solar cells. In the present investigation, SnS thin films have been deposited onto different substrates such as glass, ITO and Mo-coated glass substrate by thermal evaporation method. The compositional, microstructural and photoelectrochemical properties of the SnS films were analyzed depending upon the chemical nature of the substrates used. The SnS layers were polycrystalline with Herzbergite orthorhombic structure on all three substrates and had nearly stoichiometric elemental composition with a Sn/S ratio of ~1.01. The films grown on ITO and Mo-coated glass substrates exhibit (040) as preferred orientation whereas the films deposited on glass showed (111) plane as predominant. The layers were densely packed and well adherent to the substrate surface. The Raman spectra showed bands at 64, 163, 189 and 219 cm−1, which corresponds to the single phase (SnS) composition of films. p-type conductivity of all the deposited films were determined by the photoresponse studies. The highest photoresponse for the films on the ITO substrate indicates their appropriateness for the solar cell application.

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Metadaten
Titel
PVD grown SnS thin films onto different substrate surfaces
verfasst von
N. Revathi
S. Bereznev
J. Iljina
M. Safonova
E. Mellikov
O. Volobujeva
Publikationsdatum
01.12.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1468-8

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