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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2014

01.06.2014

Geometric and electronic structure of Cs adsorbed Ga0.5Al0.5As (001) and (011) surfaces: a first principles research

verfasst von: X. H. Yu, B. K. Chang, H. G. Wang, M. S. Wang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2014

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Abstract

Using plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on first-principles density functional theory, the adsorption of Cs atom on Ga0.5Al0.5As (001) and (011) surfaces is investigated. The adsorption energy, geometric structure, E-Mulliken bond population, charge-transfer index, work function, dipole moments, band structure and density of state of Cs/(001) and Cs/(011) systems are calculated, the stability, ionicity and electronic structure of Cs/(001) and Cs/(011) systems are compared. Result shows that (001) is more benefital for photoelectric activation and photoemission than (011).
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Metadaten
Titel
Geometric and electronic structure of Cs adsorbed Ga0.5Al0.5As (001) and (011) surfaces: a first principles research
verfasst von
X. H. Yu
B. K. Chang
H. G. Wang
M. S. Wang
Publikationsdatum
01.06.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-1916-0

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