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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 10-11/2006

01.09.2006 | Technical paper

Gold metallizations for eutectic bonding of silicon wafers

verfasst von: S. Lani, A. Bosseboeuf, B. Belier, C. Clerc, C. Gousset, J. Aubert

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 10-11/2006

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Abstract

Gold eutectic bonding of silicon wafers is a good candidate for wafer level vacuum packaging of vibrating MEMS: in this paper we investigated several e-beam evaporated metallizations stacks including a titanium adhesion layer, an optional diffusion barrier (Ni or Pt) and a gold film for eutectic bonding on Si and SiO2/Si wafers. Interdiffusion in the multilayers for annealing temperatures (380–430°C) larger than the Au–Si eutectic temperature (363°C) and times corresponding to a bonding process was characterized by RBS, roughness and resistivity measurements. Au/Pt/Ti and Au/Ti/SiO2 were found to have the best characteristics for bonding. This was confirmed by bonding experiments.
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Literatur
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Metadaten
Titel
Gold metallizations for eutectic bonding of silicon wafers
verfasst von
S. Lani
A. Bosseboeuf
B. Belier
C. Clerc
C. Gousset
J. Aubert
Publikationsdatum
01.09.2006
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 10-11/2006
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-006-0228-6

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