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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 13/2023

01.12.2023

High Sensitivity of Halide Vapor Phase Epitaxy Grown Indium Oxide Films to Ammonia

verfasst von: D. A. Almaev, A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, P. N. Butenko, M. P. Scheglov, A. V. Chikiryaka, A. I. Pechnikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 13/2023

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Abstract

The effect of H2, NH3, CO and O2 on the electrically conductive properties of In2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 200−550°C, In2O3 films demonstrate gas sensitivity to all considered gases, a relatively high operation speed and repeatability of cycles. The greatest response to NH3 was obtained, which exceeded 33 arb. units at a temperature of 400°C and a gas concentration of 1000 ppm−1. A qualitative mechanism of gas sensitivity of In2O3 films is proposed. The obtained gas-sensitive characteristics are compared with known In2O3 sensors based on various materials. It is shown that the method of halide vapor phase epitaxy makes it possible to obtain indium oxide films with high gas sensitivity.
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Literatur
1.
B. Lu, P. Chen, J. Zou, B. Yao, and H. Chen, Phys. Status Solidi A 215(21), 1800401 (2018).ADSCrossRef
2.
G. Domenech-Gila, J. Samaa, P. Pellegrinoa, S. Barthb, I. Graciac, C. Canec, and A. Romano-Rodrigueza, Sensors Actuators B: Chem. 238, 447 (2016).CrossRef
3.
J. A. Spencer, A. L. Mock, A. G. Jacobs, M. Schubert, Y. Zhang, and M. J. Tadjer, Appl. Phys. Rev. 9(1), 011315 (2022).ADSCrossRef
4.
S. H. Babu, S. Kaleemulla, N. M. Rao, and C. Krishnamoorthi, J. Magn. Magn. Mater. 416, 66 (2016).ADSCrossRef
5.
P. D. C. King, T. D. Veal, F. Fuchs, Ch. Y. Wang, D. J. Payne, A. Bourlange, H. Zhang, G. R. Bell, V. Cimalla, O. Ambacher, R. G. Egdell, F. Bechstedt, and C. F. McConville, Phys. Rev. B 79, 205211 (2009).ADSCrossRef
6.
M. Stokey, R. Korlacki, S. Knight, A. Ruder, M. Hilfiker, Z. Galazka, K. Irmscher, Y. Zhang, H. Zhao, V. Darakchieva, and M. Schubert, J. Appl. Phys. 129, 225102 (2021).ADSCrossRef
7.
K. H. L. Zhang, V. K. Lazarov, T. D. Veal, F. E. Oropeza, C. F. McConville, R. G. Egdell, and A. Walsh, J. Phys.: Condens. Matter 23, 334211 (2011).PubMed
8.
9.
T. de Boer, M. F. Bekheet, A. Gurlo, R. Riedel, and A. Moewes, Phys. Rev. B 93, 155205 (2016).ADSCrossRef
10.
V. Golovanova, M. A. Maki-Jaskari, T. T. Rantalab, G. Korotcenkovc, V. Brinzaric, A. Cornetd, and J. Moranted, Sensors Actuators B: Chem. 106 (2), 563 (2005).CrossRef
11.
H. Jiang, L. Zhao, L. Gai, L. Ma, Y. Maa, and M. Lib, CrystEngComm. 35, 7003 (2013).
12.
A. Gurlo and R. Riedel, IEEE Sensors 4, 1505 (2008).
13.
L. Gao, F. Ren, Z. Cheng, Y. Zhang, Q. Xiangc, and J. Xu, CrystEngComm. 17 3268 (2015).
14.
N. Sui, S. Cao, P. Zhang, T. Zhou, and T. Zhang, J. Hazardous Mater. 418, 126290 (2021).CrossRef
15.
L. Song, K. Dou, R. Wang, P. Leng, L. Luo, Y. Xi, C. C. Kaun, N. Han, F. Wang, and Y. Chen, ACS Appl. Mater. and Interfaces 12(1), 1270 (2019).CrossRef
16.
F. Chen, M. Yang, X. Wang, Y. Song, L. Guo, N. Xie, X.Kou, X. Xu, Y. Sun, and G. Lu, Sensors Actuators B: Chem. 290, 459 (2019).CrossRef
17.
R. Togashi, S. Numata, M. Hayashida, T. Suga, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, P. Paskov, B. Monemar, Y. Kumagai. Jpn. J. Appl. Phys., 55(12), 1202B3 (2016).
18.
H. Nakahata, R. Togashi, K. Goto, B. Monemar, Y. Kumagai. J. Cryst. Growth, 563, 126111 (2021).CrossRef
19.
S. I. Stepanov, V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, M. P. Scheglov, A. V. Chikiryaka, A. V. Chernykh, M. A. Odnobludov, V. D. Andreeva, A. Y. Polyakov. Phys. Status Solidi A, 218 (3), 2000442 (2020).ADSCrossRef
20.
V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, B. O. Kushnarev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, A. V. Chikiryaka, R. B. Timashov, M. P. Shcheglov, P. N. Butenko, E. V. Chernikov. Pis’ma ZhTF, 48 (14), 37 (2022) (in Russian).
21.
N. N. Yakovlev, A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, B. O. Kushnarev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, A. V. Chikiryaka, R. B. Timashov, M. P. Scheglov, P. N. Butenko, D. A. Almaev, E. V. Chernikov. Materials Today Commun., 34, 105241 (2023).CrossRef
22.
X. Hou, Y. Zou, M. Ding, Y. Qin, Z. Zhang, X. Ma, P. Tan, S. Yu, X. Zhou, X. Zhao, G. Xu, H. Sun, S. Long. J. Phys. D: Appl. Phys., 54, 043001 (2020).ADSCrossRef
23.
S. J. Pearton, Jiancheng Yang, Patrick H. Cary, F. Ren, Jihyun Kim, Marko J. Tadjer, Michael A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5(1), 011301 (2018).ADSCrossRef
24.
25.
A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, N. N. Yakovlev, P. N. Butenko, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, M. P. Scheglov, E. V. Chernikov, Sensors Actuators B: Chem., 364, 131904 (2022).CrossRef
26.
A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, P. N. Butenko, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, N. N. Yakovlev, I. M. Sinyugin, S. V. Shapenkov, M. P. Scheglov. Phys. Status Solidi B, 259 (2), 2100306 (2021).ADSCrossRef
27.
A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, A. V. Chikiryaka, N. N. Yakovlev, V. M. Kalygina, V. V. Kopyev, E. V. Chernikov. J. Phys. D: Appl. Phys., 53(41), 414004 (2020).CrossRef
28.
N. N. Yakovlev, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. V. Almaev, A. I. Pechnikov, E. V. Chernikov, B. O. Kushnarev. IEEE Sensors J., 21(13), 8 (2021).CrossRef
29.
30.
31.
32.
V. I. Gaman. Fizika poluprovodnikovykh gazovykh sensorov (Tomsk, Izd-vo NTL, 2012). (in Russian).
33.
A. Walsh, C. R. A. Catlow, A. A. Sokol, S. M. Woodley. Chem. Mater., 21, 4962 (2009).CrossRef
34.
K. K. Makhija, A. Ray, R. M. Patel, U. B. Trivedi, H. N. Kapse. Bull. Mater. Sci., 28(1), 9 (2005).CrossRef
35.
H. Kim, C. Jin, S. An, C. Lee. Ceramics International, 38(5), 3563 (2012).CrossRef
36.
N. Yamazoe, K. Shimanoe. J. Sensors, 21 (2009).
37.
38.
39.
D. H. Kim, W-S. Kim, S. B. Lee, S-H. Hong. Sensors Actuators B: Chem., 147 (2), 653 (2010).CrossRef
40.
M. S. Wagh, G. H. Jain, D. R. Patil, S. A. Patil, L. A. Patil. Sensors Actuators B: Chem., 115(1), 128 (2006).CrossRef
41.
C. Li, D. Zhang, B. Lei, S. Han, X. Lie, C. Zhou. J. Phys. Chem., 107(45), 12451 (2003).CrossRef
42.
A. A. Hameed, S. Hamid, A. L. Jumaili. Iraqi J. Sci., 62(7), 2204 (2021).
43.
W-C. Chang, X. Qi, J-C. Kuo, S.L. Lee, S-K. Ng, D. Chen. CrystEngComm., (16), 5125 (2011).
44.
V. Srivastava, K. Jain. Sensors Actuators B: Chem., 133(1), 46 (2008).CrossRef
45.
Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chem., 129 (2), 666 (2008).CrossRef
46.
N. D. Cuong, Y. W. Park, S. G. Yoon. Sensors Actuators B: Chem., 140(1), 240 (2009).CrossRef
Metadaten
Titel
High Sensitivity of Halide Vapor Phase Epitaxy Grown Indium Oxide Films to Ammonia
verfasst von
D. A. Almaev
A. V. Almaev
V. I. Nikolaev
P. N. Butenko
M. P. Scheglov
A. V. Chikiryaka
A. I. Pechnikov
Publikationsdatum
01.12.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 13/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782623030028

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