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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 13/2023

01.12.2023

Broadband Superluminescent Diodes Based on Multiple InGaAs/GaAs Quantum Well-Dot Layers

verfasst von: M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, O. I. Simchuk, N. Yu. Gordeev, A. A. Beckman, A. S. Payusov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. M. Kulagina, A. E. Zhukov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 13/2023

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Abstract

We have studied superluminescent diodes with simplified design and active region based on 5 or 7 layers of InGaAs/GaAs quantum well-dots (QWDs). Emission peaks of the individual QWD layers are shifted with respect to each other by 15–35 nm to provide as wide as possible emission line in a superluminescent mode with central wavelength of about 1 μm without significant spectral dips. For superluminescent diodes with the active region based on 5 and 7 QWD layers, the maximal value of full width at half maximum of emission spectrum was 92 and 103 nm respectively.
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Metadaten
Titel
Broadband Superluminescent Diodes Based on Multiple InGaAs/GaAs Quantum Well-Dot Layers
verfasst von
M. V. Maximov
Yu. M. Shernyakov
G. O. Kornyshov
O. I. Simchuk
N. Yu. Gordeev
A. A. Beckman
A. S. Payusov
S. A. Mintairov
N. A. Kalyuzhnyy
M. M. Kulagina
A. E. Zhukov
Publikationsdatum
01.12.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 13/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782623030120

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