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Semiconductors

Erschienen in:

01.12.2023

InGaAsP/InP Photovoltaic Converters for Narrowband Radiation

verfasst von: N. S. Potapovich, M. V. Nakhimovich, V. P. Khvostikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 13/2023

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Abstract

Utilizing performed research, photoelectric converters of narrow-band radiation (λ ≈ 1.0–1.3 μm) based on InGaAsP/InP heterostructures with an epitaxial p–n junction have been developed and created. Technological regimes that apply of for creating high-quality layers of quaternary InGaAsP solid solutions isoperiodic to indium phosphide in a wide range of compositions by liquid-phase epitaxy have been determined.

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V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnyi. FTP, 52 (13), 1641 (2018) (in Russian). https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46880.8926

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Titel: InGaAsP/InP Photovoltaic Converters for Narrowband Radiation
verfasst von: N. S. Potapovich
M. V. Nakhimovich
V. P. Khvostikov
Publikationsdatum: 01.12.2023
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Semiconductors / Ausgabe 13/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782623090142

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