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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 13/2023

01.12.2023

On Heating Mechanisms in LEDs Based on p-InAsSbP/n-InAs(Sb)

verfasst von: A. L. Zakgeim, S. A. Karandashev, A. A. Klimov, R. E. Kunkov, T. S. Lukhmyrina, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 13/2023

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Abstract

Three main reasons for a temperature increase in activated p-InAsSbP/n-InAs/n-InAsSbP and p-InAsSbP/n-InAsSb/n-InAs double heterostructures has been considered, contribution of nonradiative Auger recombination, electron-phonon interaction and Joule heating to diode temperature increase in single element LEDs and flip-chip diode arrays (1 × 3) were evaluated at forward and reverse bias using data on spatial distribution of the mid-IR radiation intensity and current-voltage characteristics.
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Fußnoten
1
Other terms similar in meaning and used in the literature—“optical insulator”, “microoptopair”.
 
2
Electrical contacts are rarely ideal, so they can also absorb some of the EL radiation.
 
3
Ratio (3) doesn’t not take into account the temperature dependence of the radiation-extraction efficiency γ and injection efficiency.
 
4
In most cases known from the literature the values of \(\xi _{{300\,\,{\text{K}}}}^{{77\,\,{\text{K}}}}\) for InAs-based LEDs are in the range from 10 to 30 (see, for example, [36]).
 
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Metadaten
Titel
On Heating Mechanisms in LEDs Based on p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
verfasst von
A. L. Zakgeim
S. A. Karandashev
A. A. Klimov
R. E. Kunkov
T. S. Lukhmyrina
B. A. Matveev
M. A. Remennyi
A. A. Usikova
A. E. Chernyakov
Publikationsdatum
01.12.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 13/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782623030193

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