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Erschienen in: Microsystem Technologies 10-11/2006

01.09.2006 | Technical Paper

Horizontal buried channels in monocrystalline silicon

verfasst von: O. De Sagazan, M. Denoual, P. Guil, D. Gaudin, O. Bonnaud

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 10-11/2006

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Abstract

This paper reports, horizontal buried channels in monocrystalline silicon. Those channels are few microns wide and height and several hundred microns long. The main applications for those buried channels are micro-fluidic networks for MEMS devices and cooling systems for integrated circuits. Their fabrication is based on integrated circuit standard processes such as selective monocrystalline epitaxial growth and high temperature annealing. The major interest of the method is its compatibility with integrated circuit manufacturing technology.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Horizontal buried channels in monocrystalline silicon
verfasst von
O. De Sagazan
M. Denoual
P. Guil
D. Gaudin
O. Bonnaud
Publikationsdatum
01.09.2006
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 10-11/2006
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-006-0177-0

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