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Semiconductors

Erschienen in:

01.08.2020 | FABRICATION, TREATMENT, AND TESTING OF MATERIALS AND STRUCTURES

Implantation of Silicon Ions into Sapphire: Low Doses

verfasst von: N. E. Belova, S. G. Shemardov, S. S. Fanchenko, E. A. Golovkova, O. A. Kondratev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2020

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Abstract

After the ion implantation of silicon into sapphire followed by high-temperature annealing, silicon and aluminosilicate precipitates are observed in the surface region of sapphire. X-ray measurements with the mapping of reciprocal space show the presence of a compressive stress with a –0.12% strain in the normal direction, and a tensile stress with a 0.2% strain in the R plane in this region. This reduces the lattice mismatch between sapphire and Si(100) and, thus, can improve the crystal quality of epitaxial Si films grown on such modified sapphire substrates.

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Titel: Implantation of Silicon Ions into Sapphire: Low Doses
verfasst von: N. E. Belova
S. G. Shemardov
S. S. Fanchenko
E. A. Golovkova
O. A. Kondratev
Publikationsdatum: 01.08.2020
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Semiconductors / Ausgabe 8/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080060

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