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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 11/2010

01.11.2010

In Situ Temperature Measurement of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Micro-Raman Spectroscopy

verfasst von: Yaqi Wang, Hui Xu, Siddharth Alur, Yogesh Sharma, An-Jen Cheng, Kilho Kang, Ryan Josefsberg, Minseo Park, Sharukh Sakhawat, Arindra N. Guha, Okechukwu Akpa, Saritha Akavaram, Kalyankumar Das

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 11/2010

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Metadaten
Titel
In Situ Temperature Measurement of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Micro-Raman Spectroscopy
verfasst von
Yaqi Wang
Hui Xu
Siddharth Alur
Yogesh Sharma
An-Jen Cheng
Kilho Kang
Ryan Josefsberg
Minseo Park
Sharukh Sakhawat
Arindra N. Guha
Okechukwu Akpa
Saritha Akavaram
Kalyankumar Das
Publikationsdatum
01.11.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 11/2010
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-010-1360-8

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